بررسی کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

بررسی کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی
بررسی کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

بررسی-کاهش-جریان-نشتی-در-گیت-قابل-برنامه-ریزی-میدانی

تحقیق حاضر با عنوان بررسی کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی   از سری تحقیق های رشته برق و الکترونیک میباشد. این تحقیق در 111صفحه با فرمت Word (قابل ویرایش) در مقطع کارشناسی ارشد نگارش شده است و همچنین این تحقیق آماده چاپ و پرینت جهت استفاده دانشجویان می باشد.

===================================================================================

تمامی فایل های سیستم، توسط کاربران آن آپلود می شود. اگر در فایلی تخلفی مشاهده کردید و یا مالک پروژه ای بودید که از وجود آن در سایت رضایت نداشتید با ما تماس بگیرید، در اسرع وقت به گزارش شما رسیدگی می شود.
neginfile.ir@gmail.com                       info@neginfile.ir
===================================================================================

قسمتهایی کوتاه از متن:

چکیده

در تحقیق که پیشرو داریم بر آنیم تا با توجه به نیاز روزافزون به بهره گیری و استفاده از مدارهای الکترونیکی دیجیتال و نیاز به بهینه سازی جهت بهبود عملکرد که شامل مصرف توان کمتر، سرعت بالاتر، اشغال فضای کمتر و عملکرد بهتر می باشد با ایجاد تغییراتی در یکی از قسمت های یک ابزار بسیارکاربردی و مفید در طراحی و پیاده سازی مدارهای دیجیتال یعنی گیت قابل برنامه ریزی میدانی سبب بهبود عملکرد این ابزار شویم. در این تحقیق باتوجه به این نکته که عمده مصرف توان این ابزار در سلول های حافظه صرف می گردد و توجه به این نکته که بخش عمده ساختمان اجزای تشکیل دهنده تراشه شامل بلوک های منطقی قابل پیکربندی که خود شامل سوییچ های مسیریابی و جداول جستجو می باشند که حجم زیادی از این قسمت ها را سلول های حافظه تشکیل می دهند و باتوجه به این نکته که بخش عمده اتلاف توان را جریان نشتی ترانزیستورهای سلول حافظه در زمان بیکاری ایجاد میکنند با کاهش این جریان نشتی سبب کاهش توان مصرفی ایستا در سلول حافظه و در نهایت کل تراشه گیت قابل برنامه ریزی میدانی شویم و با کاهش مصرف توان دراین ابزار سبب بهبود عملکرد آن شویم.

مقدمه

کاهش ابعاد مدارات دیجیتال و ترانزیستورها یکی از چالش های امروزه در طراحی و ساخت مدارات مجتمع می باشد که با توجه به نیاز روزافزون به استفاده از مدراهای مجتمع این چالش، کاهش ابعاد همراه با عوامل ناخواسته از قبیل افزایش جریان نشتی در ساختمان و معماری این مدارها می باشد. با توجه به این نکته که یکی از ابزارهای مورد استفاده در ساخت و طراحی سیستم های دیجیتال گیت قابل برنامه ریزی میدانی می باشد که این ابزار در ساخت و طراحی بسیاری از سیستم ها کاربرد دارد (Lamoureux  and Luk 2008, 338-345). این ابزار دارای اجزای مختلفی می باشد که قابلیت پیکر بندی و برنامه ریزی را دارا می باشد (Lamoureux  and Luk 2008, 338-345; Naji 2004, 1055-1081).
یکی از توانمندی های گیت قابل برنامه این است که می توان هر مدار دیجیتالی را توسط این ابزار پیاده سازی کرد. گیت قابل برنامه ریزی میدانی از بلوک های های منطقی قابل پیکربندی '1' تشکیل شده است (Lamoureux  and Luk 2008, 338-345). علاوه بر مورد ذکر شده در قسمت قبل اجزای دیگری نیز درگیت قابل برنامه ریزی میدانی از قبیل واحدهای محاسباتی و رابط های ورودی وخروجی که به شکل بلوک های مجزایی هستند و سوییچ های مسیریابی شکل 1-1 ،'2' می باشند که کار این ابزار برقراری ارتباط بین بلوک های منطقی می باشد.


فهرست مطالب


چکیده    1
فصل اول: کلیات تحقیق
1-1- مقدمه    3
1-2- بیان مساله    6
1-3- اهمیت و ضرورت تحقیق    7
1-4- اهداف تحقیق    8
فصل دوم: مروری بر ادبیات و پیشینه تحقیق
2-1- معرفی گیت قابل برنامه ریزی میدانی FPGA    10
2-2- معرفی حافظه ها شامل SRAM  و DRAM    11
2-3- ساختار داخلی سلول حافظه    13
2-3-1 سلول حافظه 6 ترانزیستوری پایه    13
2-3-2 نوشتن داده در سلول    14
2-3-3 نگهداری داده در سلول    16
2-3-4 خواندن داده از سلول    17
2-4- معرفی حاشیه نویز ایستای خواندن و جریان سلول    18
2-5- سلول بهبود یافته    20
2-5-1 نوشتن در سلول جدید    21
2-5-2 نگهداری داده در سلول جدید    24
2-5-3 خواندن داده از سلول جدید    26
2-6- بررسی سلول جدید ارائه شده از دیدگاه تاخیر در خواندن و نوشتن    26
2-6-1 تأخیر نوشتن در سلول    26
2-6-2 تاخیر خواندن داده از سلول    30
2-7- بررسی جریان نشتی در سلول حافظه    33
2-8- بررسی برخی سلول های ارائه شده    35
2-8-1 سلول با نشتی پایین و آگاه به صفر    39
2-8-2 سلول SRAM سخت شده نسبت به صفر    39
2-9- بررسی سلول بهبودیافته    43
2-10- بررسی چالش جریان نشتی    55
فصل سوم: روش اجرای تحقیق
3-1- شبیه سازی سلول 6 ترانزیستوری پایه    65
3-2- شبیه سازی سلول پایه در لحظه 2.5 میکروثانیه    71
3-3- شبیه سازی سلول بهبود یافته    73
3-4- شبیه سازی سلول بهبود یافته در زمان 2.5 میکروثانیه    78
3-5- شبیه سازی سلول نهایی    80
3-6- شبیه سازی سلول نهایی در لحظه 2.5 میکروثانیه    82
فصل چهارم: تجزیه و تحلیل داده ها
4-1- مقایسه و بررسی داده ها و نتایج حاصل از شبیه سازی    87
فصل پنجم: نتیجه گیری و پیشنهادات
5-1- نتیجه گیری    91
5-2- پیشنهادات    92
منابع و ماخذ    93
فهرست منابع فارسی    93
فهرست منابع انگلیسی    94
چکیده انگلیسی    96

دانلود فایل


لینک دانلود

✔ نمایش جزئیات بیشتر و دریافت فایل